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產品價格￥2000000.00元/臺
產品品牌Hakuto
最小起訂≥1 臺
供貨總量100 臺
瀏覽次數(shù)271
企業(yè)旺鋪http://hakuto.48903.com/
更新日期2021-09-04 19:55
品牌： |
Hakuto |
所在地： |
廣東 深圳市 |
起訂： |
≥1 臺 |
供貨總量： |
100 臺 |
有效期至： |
長期有效 |
均勻性： |
±5% |
硅片刻蝕率： |
20 nm/min |
離子源： |
Φ20cm 考夫曼離子源 |
上海伯東日本原裝進口適合中等規(guī)模量產使用的 Hakuto 離子刻蝕機 20IBE-C.
蝕刻均勻性: ±5%, 刻蝕速率: 20 nm/min, 樣品臺可選直接冷卻 / 間接冷卻, 0-90度旋轉.
Hakuto 離子刻蝕機 20IBE-C 主要優(yōu)點:
1. 干式制程的微細加工裝置, 使得在薄膜磁頭, 半導體元件, MR sensor 等領域的開發(fā)研究及量產得以廣泛應用.
2. 物理蝕刻的特性, 無論使用什么材料都可以用來加工, 所以各種領域都可以被廣泛應用.
3. 配置使用美國 KRI 考夫曼離子源
4. 射頻角度可以任意調整, 蝕刻可以根據(jù)需要做垂直, 斜面等等加工形狀.
5. 基板直接加裝在直接冷卻裝置上, 所以可以在低溫環(huán)境下蝕刻.
6. 配置公轉自轉傳輸機構, 使得被蝕刻物可以得到比較均勻平滑的表面.
7. 機臺設計使用自動化的操作流程, 所以可以有非常友好的使用生產過程.
Hakuto 離子刻蝕機 20IBE-C 技術參數(shù):
| 基板尺寸 | < Ф3 inch X 8片 |
|
樣品臺 | 樣品臺可選直接冷卻 / 間接冷卻0-90度旋轉 | ||
離子源 | 20cm 考夫曼離子源 | ||
均勻性 | ±5% for 8”Ф | ||
硅片刻蝕率 | 20 nm/min | ||
溫度 | <100 |
Hakuto 離子刻蝕機 20IBE-C 組成:
Hakuto 離子刻蝕機 20IBE-C 通氬氣 Ar 不同材料的蝕刻速率:.jpg)
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