1 全水冷高頻開(kāi)關(guān)電源完全密封，能子惡劣的環(huán)境下使用，可以直接安放槽邊。

2 采用鋁板通水散熱，整機(jī)體積大大減小。

3 管路設(shè)計(jì)合理化，模塊化，采用大功率IGBT制作模式，不同于一般小功率MOSFET模式，穩(wěn)定性能更好，功率更大。

4 不帶N線的開(kāi)關(guān)電源，消除了諧波干擾問(wèn)題 ，功率因數(shù)大大提高。

5 外殼采用全不繡鋼材質(zhì)制作，避免酸霧對(duì)其腐蝕，大大延長(zhǎng)了電源的使用壽命。

6 控制精度高，紋波系數(shù)低，能滿足不同的工藝要求。效率大于90%，功率因數(shù)0.99以上，節(jié)能省電。

7 穩(wěn)壓、穩(wěn)流控制模式。

8 有軟起動(dòng)、過(guò)流、過(guò)壓、過(guò)熱、缺相等保護(hù)措施。

9 可選配定時(shí)、安時(shí)、添料等功能。

10 可選擇手動(dòng)、RS485數(shù)字網(wǎng)絡(luò)化、4~20MA、0~10v、0~5v等控制。

11 內(nèi)部線路板采取了防鹽霧酸化的三防膠，使電子元器件不易受環(huán)境腐蝕，產(chǎn)品持久耐用。